简介： 本发明提供一种半导体结构失效分析方法，所述方法至少包括：提供一半导体结构，所述半导体结构至少包括接地的有源区、第一绝缘层、金属互连结构、及第二绝缘层；检测出金属互连结构中的可疑失效区域；于所述可疑失效区域一侧切挖所述第一绝缘层和第二绝缘层，形成开口，填充与第二金属层电连的金属材料；采用电子束或离子束扫描所述半导体结构表面，若观察到所述可疑异常区域的二次电子图像中存在明暗亮度差异，该明暗亮度交界点即为失效点。本发明半导体结构的失效分析方法通过在可疑异常区域一侧设置将有源区和第二金属层连接的金属结构，使该侧的第二金属层接地，从而使可疑失效区域两侧的第二金属层的电势不同，进行电子束或离子束扫描之后，可以精确定位失效点。