简介： 本发明公开了一种半导体激光器失效分析方法，该方法包括以下步骤：对半导体激光器从低电压到高电压逐级进行ESD测试，通过比较半导体激光器ESD测试前后的光电特性曲线判断该半导体激光器是否失效，并确定其失效等级；使用高倍光学显微镜对失效半导体激光器各部位进行外观失效检查，采集并存储异常部位的图像；借助SEM观察所述半导体激光器出光面的损伤细节，采集并储存相应的图像；对所述半导体激光器的有源层损伤情况进行测试。半导体器件十分容易受到静电放电作用而失效，本发明对找到其失效机理进而对器件进行改进，可以准确定位其失效部位，得到失效机理，最终达到改进器件提高性能的目的。