简介： 本发明涉及半导体器件检测领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析方法。在该半导体器件失效分析方法中，将插销和金属层间的介电质层全部刻蚀掉，再观测插销与金属层间连接部分，观测其中异常情况，找到导致产品失效的根源，方便实用。