简介： 本申请一种闪存芯片位线间漏电失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域，通过采用非破坏性分析工艺，将FIB切分工艺和奈米级探针量测工艺相结合，在完全不破坏前端工艺所有材料的状况下，直接定位出失效的栓塞处，且其可检测位于栓塞不同位置的桥连(如位于栓塞顶部、中间或其他任何位置处的桥连)，并能够获得较好的TEM样品，以便于后续TEM的精准观测，即在有效提高失效分析的可靠性的同时，还能大大降低失效分析所花费的时间及工艺成本等。