简介： 本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。