简介： 本发明提供一种晶体三极管的失效分析方法，包括以下步骤：对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察，确认其是否破损之类；对晶体三极管样品进行电性检测，分析可能的实效原因；对晶体三极管样品进行X-Ray透视检查，确认晶体三极管的内部结构；将晶体三极管样品制作成金相切片样品；根据晶体三极管的内部结构，将金相切片样品逐一研磨至金线位置，并在金相显微镜下进行观察分析；综合上述步骤得出的结果，确定晶体三极管的失效原因。本发明与现有技术相比不同的是，本发明的方法提供了观察晶体三极管内部金线的结构与连接情况，从而更深入地找出晶体三极管失效的原因。