简介： 本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,包括以下步骤:通过机械研磨去除待分析芯片的互连金属层和位线层的大部分;通过机械研磨去除待分析芯片的衬底的大部分;通过湿法刻蚀完全去除待分析芯片的残存的衬底;通过干法刻蚀去除待分析芯片位线接触窗底部的介质层的大部分,保留一薄层的介质层;对待分析芯片的位线接触窗的顶部进行检测,确定位线失效的具体位置。本发明方法可使待分析芯片充分减薄,可直接通过电子显微镜进行观测确定其位线短路失效的具体位置,大大提高了工作效率,节省了时间成本。