简介： 本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。