简介： 本发明提供了一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，包括以下步骤：利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，以及使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；利用电子封装组装失效分析工具对之前步骤的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。本发明有以下优点：有效地对金属铝层进行剥离，同时保持了阻挡层的完整性；极大地加快了半导体功率器件失效点定位工作的速度和效率，同时保持了很高的精度。