简介： 本发明提供一种半导体器件失效分析样品及其制备方法、失效分析方法，通过在载体上开设一个与半导体器件样品相符的承载槽以及开设至少一个连通承载槽的导流沟槽，并在所开的承载槽中放置导电粘合剂，加热或者紫外光照射载体使导电粘合剂熔融，最后将半导体器件样品放置在承载槽中，轻压半导体器件样品使之与承载槽侧壁的台阶表面齐平，这样就避免了导电粘合剂对样品表面的污染，更重要的是在研磨去层时避免了样品表面不均匀研磨现象的出现。