简介： 本发明提供一种失效分析结构的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一导电插塞及第二金属层，所述第二金属层通过第一导电插塞与第一金属层依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层通过第二导电插塞与第二金属层相连。本发明还提供一种失效分析结构及其失效分析方法。本发明失效分析结构和失效分析方法仅需要暴露出测试金属层，不会损害第二金属层，提高失效分析结果的准确性。