简介： 一种用于半导体器件失效分析的检测方法,包括:利用聚焦离子束,对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削,以改变源/漏区的表面性状;利用腐蚀处理溶液,对所述半导体器件的剖面进行腐蚀,以显露出源/漏区的结剖面形貌;利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料,观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合,获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌,提供判断器件是否失效的依据。