简介： 本实用新型涉及传感器技术领域,确切地说是一种新型薄膜电阻型应变传感器,其中薄膜材料覆盖在衬底上,在薄膜的两端设有引出电极,衬底上设有传感器固定结构,电阻率随薄膜晶格间距变化而成斜率变化。本实用新型同现有技术相比,具有制备、结构和匹配测量电路的简单性,又具有氧化物材料的化学稳定性。