简介： 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一前端结构，所述前端结构包括衬底，位于所述衬底上的字线，位于所述衬底上且分列于所述字线两侧的控制栅，位于所述控制栅上的字线侧墙，所述字线侧墙暴露出部分所述控制栅；以所述字线侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅；以及在暴露出的所述控制栅的侧壁形成一保护层。本发明提供的通过在暴露出的控制栅的侧壁形成一保护层，及时将控制栅暴露在空气中的部分保护起来。避免了控制栅的侧壁因长时间暴露在空气中而与控制栅刻蚀后产生化学物质发生反应，破坏控制栅结构，进而解决了半导体器件擦除失败以及测试失败的问题，提高了半导体器件的质量。