简介： 本发明涉及一种Sialon双晶纳米带及其制备方法，其是将Si-Al-O-N-C粉末与碳粉压制成圆环形预制块，在高压氮气环境下，通过化学气相沉积法生长，在圆环形预制块周围形成Sialon双晶纳米带，其厚度为10-800nm，宽度为0.1-10μm，长1-15mm。所得Sialon双晶纳米带具有其他纳米带不具备的独特性能和应用前景，比如优异的介电性能、导热性和机械强度。由于其在生长方向上具有独特的双晶结构，Sialon双晶纳米带可用于光转换，以及用于构建纳米光探测器件等。