简介： 一种清洁系统，包括至少一清洁模块，配置以在一化学机械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清洁溶液去除在基板上的多个污染物。清洁系统还包括一清洁溶液供给系统，配置以将清洁溶液供给到至少一清洁模块。清洁溶液供给系统包括至少一温度控制系统。至少一温度控制系统包括：一加热装置，配置以加热清洁溶液、一冷却装置，配置以冷却清洁溶液、一温度感应器，配置以监测清洁溶液的一温度、以及一温度控制器，配置以控制加热装置及冷却装置。