简介： 本发明提供了在大气压下使用化学气相沉积（CVD）在平坦化的基材上生长大尺寸的均匀的石墨烯层的方法；按照这些方法生产的石墨烯可以具有超过95%的单层含量。通过本发明方法制造的场效应晶体管所具有的室温空穴迁移率比生长在可商购的铜箔基材上的样品所测得的室温空穴迁移率高2-5倍。