脉冲激光沉积制备四氧化三钴薄膜电极材料的方法及其应用
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脉冲激光沉积制备四氧化三钴薄膜电极材料的方法及其应用
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简介: 本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法及其应用。在约30Pa的氧气气氛中利用脉冲激光烧蚀纯度大于等于99.9%金属钴靶材,在Mo基片上溅射沉积制备Co3O4薄膜电极材料,基片温度为250℃。此法制得的Co3O4薄膜电化学性能测试结果表明此电极材料具有良好的倍率特性和循环性能,可用于超级电容器电极材料,具有较好的应用前景。
本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法及其应用。在约30Pa的氧气气氛中利用脉冲激光烧蚀纯度大于等于99.9%金属靶材,在Mo基片上溅射沉积制备Co3O4薄膜电极材料,基片温度为250℃。此法制得的Co3O4薄膜电化学性能测试结果表明此电极材料具有良好的倍率特性和循环性能,可用于超级电容器电极材料,具有较好的应用前景。
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标签:化学分析
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