简介： 本发明公开了一种基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法，用于解决现有方法制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率低的技术问题。技术方案是在现有二维GaTe场效应管构筑工艺的基础上，引入高真空退火过程(10‑5Pa)。由于在高真空环境下气体分子浓度极低，促使吸附在沟道材料表面以及沟道材料与金属电极界面处的氧气分子、水分子向环境中扩散，有效阻止了化学吸附导致的沟道材料本征物性的退化以及表面吸附分子对载流子的散射，有效地提高了二维GaTe场效应管的迁移率。经测试，本发明制备的基于二维GaTe材料场效应管的迁移率由背景技术的0.2cm2V‑1s‑1提高至3.4‑4.5cm2V‑1s‑1。