简介： 紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法涉及相变光盘存储的技术。相变光盘存储密度取决于诱导相变的激光波长，波长越短，存储密度越大，但是当激光波长越短时，信噪比越低，读取信息质量越差。本发明采用248nm的准分子激光器诱导相变材料发生可逆相变，并且达到满足要求的信噪比。该相变材料是Ge、Sb、Te、Sn组成的四元组分存储材料。其化学通式为SnxGe20-xSb20Te50，该相变材料作为相变光盘的存储介质，可以在激光诱导下实现存储、擦除和读写数据。该发明得到的反射率对比度在15%以上、并且具有更短的结晶时间的方法。实现了紫外激光诱导相变光盘大密度存储。预测将是现有的蓝光DVD存储密度的800倍。