简介： 本发明公开了GaSe/MoS₂异质结的制备方法，属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS₂异质结存在MoS₂纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS₂，然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS₂结合获得GaSe/MoS₂异质结。本发明制备的GaSe/MoS₂异质结是具有很好的光电性能，是许多光电器件的核心组件，比如紫外光电探测器等。