简介:
本发明公开了一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法,先对精炼冶金硅进行破碎,除去可见杂质、化学清洗,再投入晶棒(锭)生长炉中,同时掺入镓或磷化镓,以镓的原子浓度计量,添加量在5PPMA至14PPMA之间,在晶棒(锭)生长完成后进行剖锭加工测量,获得所需的硅晶片。采用本发明的方法,可以用精炼冶金硅制造太阳能电池,降低了材料成本,有利于硅太阳能电池的普及应用。
本发明公开了一种用于
太阳能电池的硅晶片的制备方法,先对精炼冶金硅进行破碎,除去可见杂质、化学清洗,再投入晶棒(锭)生长炉中,同时掺入镓或磷化镓,以镓的原子浓度计量,添加量在5PPMA至14PPMA之间,在晶棒(锭)生长完成后进行剖锭加工测量,获得所需的硅晶片。采用本发明的方法,可以用精炼冶金硅制造太阳能电池,降低了材料成本,有利于硅太阳能电池的普及应用。