简介： 本发明公开了一种基于ZnSnO基非晶氧化物半导体薄膜的薄膜型酒精气敏传感器及其制备方法。该酒精气敏传感器包括绝缘衬底层、电极层和传感层，其中传感层为非晶氧化物半导体薄膜。本发明还提供了所述的酒精气敏传感器的制备方法，步骤包括绝缘衬底层准备步骤、金属电极制备步骤以及气敏传感层ZnSnO非晶基薄膜的制备步骤。其中传感层是由溶液化学方法制备。本发明使用的制备方法操作简单、成本低，制得的非晶氧化物半导体薄膜作为传感层的酒精气敏传感器具有探测灵敏度高、制备方法简单、重复性好等优点，在军事、民用等领域具有重要的应用价值。