简介： 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，衬底包括PMOS晶体管区域；在衬底的PMOS晶体管区域上形成栅极、硬掩模；在栅极、以及硬掩模的表面形成第一侧墙材料层，栅极表面的第一侧墙材料层厚度大于硬掩模表面的第一侧墙材料层；去除硬掩模表面的第一侧墙材料层、以及栅极侧壁上部分厚度的第一侧墙材料层，残留的第一侧墙材料层构成第一侧墙；进行湿式化学清洗；在硬掩模和第一侧墙的周围形成第二侧墙；在PMOS晶体管区域中对应源漏极的位置形成凹槽、以及位于凹槽内的锗硅层；至少去除部分厚度的硬掩模。本发明的技术方案解决了利用现有方法形成的半导体器件的电性能合格测试的结果不满足要求的问题。