简介:
本发明公开了一种硒化铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法,其包括下述步骤:S1、制备Cu2‑xSe溶液,作为涂覆液;S2、将涂覆液涂覆在导电基板上,使Cu2‑xSe附着在导电基板上形成Cu2‑xSe膜;S3、以具有Cu2‑xSe膜的导电基板作为工作电极,以含锂溶液作为电解质,构建三电极体系;S4、将三电极体系电连接至电化学工作站上,以控制锂离子在Cu2‑xSe中的脱嵌,同时原位监测Cu2‑xSe膜在750nm~1500nm下的吸收值;在‑1.0V~‑1.2V下,锂离子嵌入至Cu2‑xSe内,LSPR消失,在‑0.4V~‑0.2V下,锂离子从Cu2‑xSe中脱出,LSPR恢复。根据本发明的调控方法,通过在还原电位下嵌入锂离子减少空穴载流子浓度,降低LSPR吸收直至消失,而在氧化电位下脱出锂离子,增加载流子浓度恢复LSPR,从而实现了对Cu2‑xSe的LSPR动态、精准和可逆调控。
本发明公开了一种硒化
铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法,其包括下述步骤:S1、制备Cu
2‑xSe溶液,作为涂覆液;S2、将涂覆液涂覆在导电基板上,使Cu
2‑xSe附着在导电基板上形成Cu
2‑xSe膜;S3、以具有Cu
2‑xSe膜的导电基板作为工作电极,以含
锂溶液作为电解质,构建三电极体系;S4、将三电极体系电连接至
电化学工作站上,以控制锂离子在Cu
2‑xSe中的脱嵌,同时原位监测Cu
2‑xSe膜在750nm~1500nm下的吸收值;在‑1.0V~‑1.2V下,锂离子嵌入至Cu
2‑xSe内,LSPR消失,在‑0.4V~‑0.2V下,锂离子从Cu
2‑xSe中脱出,LSPR恢复。根据本发明的调控方法,通过在还原电位下嵌入锂离子减少空穴载流子浓度,降低LSPR吸收直至消失,而在氧化电位下脱出锂离子,增加载流子浓度恢复LSPR,从而实现了对Cu
2‑xSe的LSPR动态、精准和可逆调控。