简介： 本发明提供了一种具有较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法、以及利用该方法制备的MOS器件；本发明利用富硅二氧化硅其具有抵抗等离子体损伤的特点，将传统高密度等离子体化学气相沉积中的富含氧的二氧化硅保护层替换成富含硅的二氧化硅保护层，从而减小了在HDP制程沉积过程中所带来的等离子体损伤，通过最终的电学性能测试可以看出，利用富含硅的二氧化硅保护层可以起到更好的抵抗等离子体损伤的能力。