简介： 一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，包括如下步骤：a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗；b)将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀；c)沉积一层二氧化硅；d)去除二氧化硅层；e)对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理；f)形成N型欧姆接触；g)将GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作，并测试芯片的正向电压。可有效防止后续高温键合对N型欧姆接触产生不利影响而导致电压升高的现象，有效改善键合后欧姆接触性能降低、芯片电压升高的现象，提高产品良率和器件的光电性能，提升器件光电参数和使用寿命。