简介： 本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的表面齐平为止，然后测量获得硅衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据硅衬底上方的阻止层的实际厚度进行热氧化生长，以将沟槽中硅衬底表面高度以上的外延层全部氧化为二氧化硅层，再刻蚀去除阻止层和二氧化硅层，既可以去除高于衬底表面的外延层又不会损伤到零层光刻标记，如此，即可保证不会影响光刻对位，又可取得较佳的平坦化效果，避免外延层相对于硅衬底存在凸起使后道的栅氧、多晶工艺等形成台阶，有利于提高器件的耐压等性能。