简介： 具有埋层二氧化硅的压力传感器生产工艺，包括，首先选定待注入的硅片基体，然后对硅片基体进行高能氧离子注入，然后将注入高能氧离子的硅片基体进行高温退火，形成20-30nm厚度的二氧化硅埋层，然后对表层进行等离子体增强化学气相沉积SiN，形成SiN沉积表层，然后将具有SiN沉积表层的硅片基体进行反应离子RIE刻蚀引线孔；形成空气隔离的低温压敏电阻，然后对硅片基体的下部区域进行厚度上的减薄，同时对引线孔进行引线连接形成惠斯通电桥。本发明提供的新型的二氧化硅埋层的压力传感器生产工艺，在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅，用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流，具有耐高温、低压、低功耗的优势。