简介： 本发明公开了一种通过氧消除增强N型半导体稳定性的方法，是在半导体材料表面构筑抗氧化剂层，或者将抗氧化剂与N型半导体材料共混。抗氧化剂清除N型半导体中已有的氧及相关的物种，消除相关陷阱状态，防止N型半导体的进一步降解，使得N型半导体器件的迁移率等电学性能提升，操作稳定性和长期存储稳定性均得到提高。此外，抗氧化剂还可抑制N型半导体的光漂白，显著提高N型半导体的光化学稳定性。通过对比未覆盖和未混合抗氧化剂的N型半导体器件的性能测试发现，本发明的方法所制备的N型半导体器件的迁移率等电学性能提升，操作稳定性和长时间存储稳定性均得到提高。