简介： 本发明提供一种高压LED芯片深刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。本发明使芯片刻蚀走道与侧壁平整度明显提高，可以减少HV芯片产品的漏电风险，提高HV芯片产品的电性品位。