简介： 本申请提供了一种含硅混阴离子非线性光学晶体，化学式为：Ba5Ga2SiO4S6，具有优良的二阶非线性光学性质，即在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙(如Eg＝4.03eV)，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.65倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的17.5倍，很好地实现了大的二阶倍频系数和宽的光学带隙的平衡，且制备方法简洁，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要的应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。