简介： 本申请涉及一种PN接面及其制备方法及用途，包含所述的PN接面的半导体薄膜组件(尤其是光电二极管组件)及包含所述的半导体薄膜组件的光电感测模块及其广泛用途。所述的PN接面包含P型铜铟镓硒半导体薄膜层及N型铜铟镓硒半导体薄膜层，所述的N型铜铟镓硒半导体薄膜层由铜铟镓硒等元素构成，其中铜相较于铟的莫耳数比在1.1至1.5的范围内且具有化学式Cu(In_xGa_1‑x)Se₂，其中x的数值在0.6至0.9的范围内。制备所述的PN接面的方法使用四元靶材、为干式制程、无须硒化处理且可将所述的PN接面制作于可挠性基板上。