简介： 本发明提供一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，该方法通过分别利用双氧水和He等离子体清洗经过化学机械研磨平坦化处理过的基片表面，以除去残留的有机物和金属微粒，然后依次在清洗过的基片表面形成金属粘附层和超低k介电层，通过UV固化处理后形成多孔超低k介电层。利用扫描电镜测试最终形成的半导体结构，证明了本发明的方法消除了传统工艺中表面容易出现的凸点效应，提高了半导体器件的良率。