简介： 本发明提供了一种III族氮化物衬底以及制备方法。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。本发明的优点在于，只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划痕，测试结果表明，与现有技术中采用无划痕衬底相比，所获得的外延层质量相同。因此，本发明摒弃了外延衬底一定要无划痕的技术偏见，提供了有划痕的衬底用于外延生长，节省了化学机械抛光带来的工艺成本。