简介： 本发明属于场效应晶体管技术领域,具体为一种石墨烯场效应晶体管的制备方法。该方法的步骤包括:提供红外线可穿透的衬底;化学气相淀积石墨烯形成石墨烯沟道层;在石墨烯沟道层上构图形成栅介质层;以及在栅介质层上构图形成栅端。其中,石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应,以使石墨烯场效应晶体管的电学特性发生变化。该制备方法工艺过程简单并易于与集成电路制造工艺兼容,所制备的场效应晶体管具有灵敏度高、功耗低、超轻超稳定的红外探测功能,并且红外吸收带宽且可根据实际应用需求可调。