简介： 本发明涉及金属外壳密封技术领域，具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化，然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内，在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。本发明为直接键合，不需要其他金属的参与。本发明密封得到的传感器密封性能好，可在室温至150℃低温度范围键合，元器件性能受影响程度低，产品使用寿命长，探测精准；将金属材料进行键和，接触紧密，密封性能好，且键合技术较为成熟，可应用于大规模工业生产。