简介： 本发明公开了一种层数均匀且高质量二硫化钼薄膜的制备方法，即使用氯化钾辅助化学气相沉积法在覆盖有300nm厚度二氧化硅层的硅衬底上制备出大面积单层二硫化钼薄膜，通过控制不同氯化钾的量获得不同尺寸的单层二硫化钼薄膜。该发明的优势在于利用氯化钾能够有效制备出均匀性较好的高质量二硫化钼薄膜，并且该实验方法工艺简单，成本低廉，适合大规模生产，所制备的二硫化钼薄膜可作为二维透明半导体薄膜被运用于光电器件、柔性透明器件、光探测器等领域，此发明对该电子材料制备及生产具有较高的应用价值及意义。