简介： 一种同时改善STI和FG?Poly填充空洞工艺窗口的方法，首先涉及一闪存器件，然后采用有源区光刻工艺EM的方式，按由左向右的顺序定义出从小到大的有源区尺寸，调整隔离浅槽开口形貌和氮化硅阻挡厚度，并将调整后的结果与有源区尺寸进行组合，将组合的晶圆进行浮栅的平坦化工艺，然后对组合的晶圆表面进行湿法刻蚀，用扫描电镜观测和调试寻找最适合的STI和FG填充空洞工艺窗口。在平坦化工艺中采用化学机械研磨工艺，隔离浅槽的开口外貌呈锥形，通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞，通过调整氮化硅厚度来调整FG?Poly填充空洞。