简介： 本发明揭示一种控制层间介电层膜厚的方法,其包括如下步骤:在半导体硅片上形成一层二氧化硅介电层,然后在二氧化硅介电层上形成一层抛光停止层,其中抛光停止层的材料为磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG),再在抛光停止层上形成一层二氧化硅介电层,然后通过化学机械抛光制程对介电层进行研磨,本发明通过在介电层中间形成一层磷硅玻璃或硼磷硅玻璃的抛光停止层,由于该抛光停止层的硬度与介电层不同,采用终点电流信号侦测的方式抛光至该停止层时能自动停止,抛光后的介电层的膜厚能够得到准确的控制。