简介： 本发明公开一种具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用，反铁磁单晶材料的分子式为Mn3‑xCrxSn，其中0≤x≤0.42，将锰，锡和铬粉末以一定的化学比例混合，置于密封的石英管中，低熔点的Sn作自助熔剂，溶解Mn和Cr，设定高温烧结炉程序，进行缓慢降温淬火获得单晶。本发明通过改变Cr的掺杂含量来调控并获得大的交换偏置效应，制备工艺简单，成本低，能源消耗少，当x＝0.42时，在温度为2～200K都存在交换偏置效应。该晶体可以被应用到需要通过温度而调节交换偏置场的应用环境中，如信息存储，磁场探测，磁记录介质和磁指纹识别等领域。同时，在2～50K范围内也具有垂直偏移量，垂直偏移量的存在不但丰富了传感器的设计方式，而且表现出比平行方向更大的偏移量，为实际应用提供新的更好的选择。