简介： 本发明涉及一种提高电压的短基区结构的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸铝步骤、铝反刻步骤、铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤，其特征在于：所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了进行选择基区光刻和进行选择型局部短基区扩散步骤。本发明的优点是：可控硅的耐压得到提高，工艺简单，工艺稳定、一致性高，大大提高了可控硅的耐压水平且成品率高，局部扩散的短基区与台面槽形成良好的台面正角结构。