简介： 本发明公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳 电池的方法，包括制绒、扩散、去磷硅玻璃、等离子增强型化学气相淀 积法淀积氮化硅薄膜、背电极印刷、烘干、背电场印刷、烘干、正电极 印刷步骤，在背电场印刷、烘干后先在烧结炉中进行第一次高温烧结处 理，然后进行正电极印刷，并在正电极印刷后在烧结炉中进行第二次高 温烧结处理，然后经测试分选得产品。本发明的实质，在规模化生产方 面，在背电极，铝背场印刷之后，增加一个高温烧结工艺，改变以前的 共烧工艺为二次烧结炉的烧结工艺。二次烧结炉高温烧结后，P+层的 厚度为5-10μm。经过二次高温烧结工艺烧结的电池效率分别比共烧工 艺制造的提高0.25-0.6％，本发明适合于规模化生产。