简介： 本发明提供一种处理化学机械抛光CMP垫调节器的方法，其包含：提供包含调节器衬底和浆料的所述CMP垫调节器，所述调节器衬底是具有接合到所述调节器衬底的顶面且维氏硬度大于3,000Kg/mm²的多个硬调节器粒子的金属、陶瓷或金属‑陶瓷材料，所述浆料包含含水介质和多个具有大于3,000Kg/mm²的硬度的硬浆料粒子。在CMP设备中使用抛光垫抛光所述垫调节器的表面。在所述抛光之后，每一调节器粒子具有至少一个暴露刻面，且所述多个硬调节器粒子具有20微米的最大平均突起部到突起部平坦度PPF差和通过切割边缘半径CER的值测量的最锐利边缘，所述最锐利边缘对于至少80％的所述刻面处于所述刻面的边缘处。