简介： 本发明公开了抗坏血酸在增强N型半导体稳定性中的应用及一种增强N型半导体稳定性的方法，属于半导体材料技术领域。所述方法为在N型半导体器件表面构筑抗坏血酸薄膜，所述抗坏血酸薄膜的制备方法为：将抗坏血酸溶液通过悬涂法、提拉法或滴注法均匀涂布在所述N型半导体器件表面，自然固化或者真空退火固化。所述抗坏血酸溶液中还加入聚氨酯溶液。该方法采用氧消除的策略，抗坏血酸可以清除已加入N型半导体中的氧，消除禁带中的相关陷阱状态，防止N型半导体的进一步降解。利用本发明的方法所制备的N型半导体器件的迁移率等电学性能提升，操作稳定性和长时间存储稳定性均得到提高。