简介:
本专利主要是将端基为四个巯基的卟啉材料应用在有机存储器件中。通过自组装与表面化学反应,在介电层与有机半导体层之间的界面处植入卟啉单分子层;卟啉分子环状平面结构与丰富的电子结构,器件表现出存储性能,也展示出在有机存储器、有机光探测器、有机发光等领域潜在而广泛的应用前景。
本专利主要是将端基为四个巯基的卟啉材料应用在有机存储器件中。通过自组装与表面化学反应,在介电层与有机半导体层之间的界面处植入卟啉单分子层;卟啉分子环状平面结构与丰富的电子结构,器件表现出存储性能,也展示出在有机存储器、有机光探测器、有机发光等领域潜在而广泛的应用前景。