简介： 提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。