相变存储器芯片的封装方法
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相变存储器芯片的封装方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了相变存储器芯片的封装方法,具体为:首先将需要封装的芯片固定在封装管壳内,然后采用超声键合技术将芯片的电极与管壳的引脚一一相连,最后使用屏蔽盖将其与外界隔离。本发明由于超声键合不需要一个临界键合温度,可在常温下进行,因此对相变存储器芯片本身特性不会有影响;键合时不加电流,不发生熔化,对材料的物理、化学性能没有任何影响,不会形成任何化合物而影响器件的性能,能保持其清洁度,不需经繁琐的清洗处理而直接进行封装,从而达到稳定性好、精度高、重复性好的测试需求。
本发明公开了相变存储器芯片的封装方法,具体为:首先将需要封装的芯片固定在封装管壳内,然后采用超声键合技术将芯片的电极与管壳的引脚一一相连,最后使用屏蔽盖将其与外界隔离。本发明由于超声键合不需要一个临界键合温度,可在常温下进行,因此对相变存储器芯片本身特性不会有影响;键合时不加电流,不发生熔化,对材料的物理、化学性能没有任何影响,不会形成任何化合物而影响器件的性能,能保持其清洁度,不需经繁琐的清洗处理而直接进行封装,从而达到稳定性好、精度高、重复性好的测试需求。
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标签:化学分析
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