简介： 本发明公开了一种多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层，再利用蒸发法在多孔硅上原位生长二氧化碲纳米棒，制得复合结构的多孔硅基二氧化碲纳米棒，再于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，利用磁控溅射法在其表面沉积形成两个铂点电极。提供了一种制备过程简单，易于控制、实现室温下对氮氧化物气体探测，具有高灵敏度等优异气敏特性的新型多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构的气敏传感器元件。