简介： 本发明涉及利用FIB沉积纳米锥形底电极从而制备硫系化合物存储单元器件的方法，其 包括以下步骤：首先，在(100)取向的硅片上面，应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介 质层；然后使用磁控溅射的方法沉积Al/Ti/TiN作为底层电极材料；于底层电极材料上利用 离子束法沉积氧化硅作为介质层；利用电子束曝光结合反应离子刻蚀的方法制备若干氧化硅 孔；于氧化硅孔内利用聚焦离子束系统制备所需要的锥形底电极；利用光刻剥离的方法于底 电极上沉积相变材料层；之后利用聚焦离子束引出上层测试电极；最后离子束沉积法溅射氧 化硅作为绝热保护层。本发明有助于制备新型的低功耗相变存储器，为研究20nm以下尺寸相 变存储器的性能提供有效的方法，促进相变存储器的发展。